本發明涉及接口板裝配作業模組，具體為一種高精密存儲芯片高保真測試板裝卸模組。、當前環境國際環境下在存儲芯片測試領域，測試機被日本adv公司壟斷；測試機的測試頭上安裝有塊用于承載芯片測試的高保真測試接口板，其精密度非常高，具備皮秒級傳播速率，高精度和超低損耗的信號傳輸，波形保真度極高，并可進...

本申請屬于集成電路設計，特別涉及一種rom自動化測試電路及其測試方法。、在科技飛速發展的當下，集成電路作為各類電子設備的核心，廣泛應用于通信、計算機等多領域。隨著技術進步，芯片集成度提高、功能復雜，對集成電路測試技術提出更高要求。、現有測試技術各有局限，邊界掃描設計技術遵循ieee.和ie...

本發明涉及半導體，尤其是涉及一種eflash參數的修調方法。、nord?flash用于存儲電子數據信息，由于閃存是一種非易失性存儲器，即斷電數據也不會丟失，具有反復擦除、讀、寫等優點，因此廣泛應用于手機、數碼照相機、平板電腦等電子設備中。但是在制造閃存出廠前，需要對閃存的電氣連接性能、功耗...

本發明涉及一種存儲裝置及其上電讀取方法，尤其是涉及一種用于通過多個級的緩存器記錄上電讀取狀態的存儲裝置及其上電讀取方法。、存儲裝置中，上電熔絲讀取操作可能因不同的電源斜率、電源電壓上升期間的不同電源噪聲以及其他環境噪聲而失敗。因此，要發現或找出上電熔絲讀取操作是否失敗以及熔絲數據是否錯誤，...

本公開總體上涉及集成電路設計和測試領域，具體側重于存儲器電路及其相關聯的邏輯。更具體地，本公開涉及用于測試各種類型的存儲器架構中的影子邏輯的方法和系統，存儲器架構包括但不限于只讀存儲器(rom)、直方圖隨機存取存儲器(historam)和三態內容可尋址存儲器(tcam)。、參考圖，該圖示出...

本發明涉及磁記錄介質的制造方法。、磁存儲裝置近年來，搭載于個人計算機、運動圖像記錄器和數據服務器等各種制品，其重要性增加。磁存儲裝置是具有將電子數據通過磁記錄而保存的磁記錄介質的裝置，例如，具有硬盤驅動器(hdd：hard?disk?drive)。、一般的磁記錄介質例如，在非磁性基板上將基...

本發明有關于存儲器控制，尤指一種藉助于通道內編碼(in-channel?coding)進行一存儲器裝置的增強型數據保護之方法，以及相關的設備(apparatus)諸如存儲器裝置、包含存儲器裝置的電子裝置、存儲器裝置內的存儲器控制器等。、存儲器裝置可包含用于儲存數據的快閃存儲器，并且針對快閃...

本公開實施例涉及半導體，特別涉及一種時鐘傳輸電路、相位校準方法及存儲器。、在存儲系統中，數據通常是以一定的時序進行傳輸的。存儲器的正常工作依賴于內部的命令和時鐘能夠具有準確的時序。在動態隨機存取存儲器(dynamic?random?accessmemory，dram)中，延遲鎖相環需要對四...

本申請涉及非線性反饋移位寄存器(nfsr)，尤其涉及一種特殊環狀非線性反饋移位寄存器的構造方法。、采用非線性反饋移位寄存器(nfsr)為主要組件已經成為流密碼算法的主流設計趨勢，但由于缺乏有效工具，nfsr理論仍很不完整。根據實現結構，nfsr一般被分為fibonacci?nfsr和gal...

本公開涉及一種半導體存儲器設備。更具體地，本公開涉及一種執行存儲器內處理操作的存儲器設備及其操作方法。、包括存儲器設備及主機設備的存儲器系統的操作速度受到存儲器設備與主機設備之間的通信速度的瓶頸。因此，正在研究用于解決由通信速度引起的瓶頸現象的各種技術。例如，最近已研究存儲器設備執行存儲器...

實施方式大體上涉及存儲裝置。、已知有使用具有動態可變的電阻的元件來存儲數據的存儲裝置。要求存儲裝置在短時間內寫入數據。技術實現思路、提供抑制了誤動作的存儲裝置。、一實施方式的存儲裝置具備第一導電體、第二導電體、第三導電體、第一存儲單元、第二存儲單元、第一開關、以及第二開關。上述第二導電體位...

本公開涉及存儲領域，特別涉及一種存儲器及其中的讀取電路。、目前，隨著消費水平的不斷發展對電子器件提出了越來越高的要求，存儲器技術也在迅速發展，特別是nand閃存(flash?memory)，其與傳統存儲器相比具有許多優勢，比如更快的性能和更低的功耗，但是仍然期望能進一步提高其讀取速度。技術...

本公開實施例涉及半導體，涉及但不限于一種存儲器、測試方法、存儲器系統、電子設備。、存儲器根據斷電時是否保留存儲的數據而被分為易失性存儲器和非易失性存儲器，其中，斷電時數據保留的非易失性存儲器可以包括只讀存儲器和快閃存儲器，快閃存儲器作為例如移動電話、數字相機等便攜式電子設備的存儲媒介而被廣...

本發明涉及一種半導體集成電路，特別是涉及一種電熔絲(electronic?fuse，efuse)存儲器。本發明還涉及一種efuse存儲器的操作方法。、efuse通過熔斷熔絲的方式，實現片上編程功能，編程可靠性是它的重要指標。在實際工作中會由于各種原因會導致efuse出現編程失敗。但efus...

本發明涉及半導體，特別涉及一種sram器件測試結構及其測試方法。、sram(static?random?access?memory，靜態隨機存儲)器件是一種廣泛應用于各種設備和技術中的隨機存取存儲器。在制備sram器件的柵極結構的過程中，由于多晶硅（poly）密度較大，在刻蝕多晶硅（pol...

本公開內容涉及包括氧和硫屬化物的存儲器件、包括存儲器件的電子設備、和/或制造存儲器件的方法。、歸因于可越來越輕量、更薄和/或更簡單的電子產品的開發，對高度集成的存儲器件的需求可增加。在具有交叉點結構的存儲器件中，字線和位線垂直地彼此交叉，且存儲單元可布置在其中字線和位線彼此交叉的區域中。該...

本發明構思的示例實施例涉及選擇性地中斷向執行單個操作的電路供電的半導體存儲器裝置。、電子裝置的電力預算包括電子裝置的存儲器系統消耗的電力。存儲器系統包括具有使用多個單獨的動態隨機存取存儲器（dram）芯片實現的dram的存儲器裝置。dram的功耗可以包括dram工作時的動態功耗和dram不...

、數據存儲系統用于存儲大量信息。數據存儲系統通常包括用于檢索和存儲信息的讀取/寫入轉換器。一些數據存儲系統使用旋轉存儲設備，諸如旋轉光學設備(例如，光盤(cd)和數字視頻(或多功能)光盤(dvd)驅動器)或包含旋轉磁盤(也稱為盤片或介質)的硬盤驅動器。在一些此類數據存儲系統中，懸置滑塊支撐...

發明構思的示例實施例涉及一種電子裝置，并且更具體地，涉及一種非易失性存儲器裝置及其操作方法。、存儲器裝置用于存儲數據，并且可被劃分為易失性存儲器裝置和非易失性存儲器裝置。隨著半導體制造技術的發展，主機裝置的操作速度不斷提高，并且主機裝置中使用的內容的容量不斷增大。因此，提高存儲在存儲器裝置...

本文中描述的本公開的實施例涉及一種存儲器系統，并且更特別地，涉及一種基于優先級控制讀取操作和寫入操作的存儲器系統以及該存儲器系統的操作方法。、計算系統的計算量和數據處理速度響應于用戶需求而提高。計算系統中的存儲器系統響應于來自諸如主機的外部裝置的請求而執行輸入和輸出數據的操作。存儲器系統可...