本公開涉及多芯片傳感器和形成這種傳感器的方法。、集成多芯片傳感器通常包括基底元件，諸如襯底或半導體芯片，有多個傳感器設備被布置在其表面上。例如，環境傳感器包括用于測量各種環境參數(諸如氣壓、溫度、濕度、或氣體成分)的多個傳感器設備。雖然這種多芯片傳感器存在于消費領域中，但是汽車應用(諸如燃...

本發明涉及一種裝置，尤其涉及一種微機電裝置。、現有微機電裝置于運行時對溫度非常敏感。當現有微機電裝置所在的環境溫度發生變化時，現有微機電裝置容易發生運行不穩定的情形，導致效能變差或是失準。因此，現有微機電裝置還會安裝一溫度傳感器以對環境溫度進行檢測，使現有微機電裝置能依據環境溫度進行補償。...

本公開大體上涉及微機電系統的技術，且尤其，涉及微機電系統裝置和其制造方法。、一些微機電系統(mems)裝置依賴于鉸鏈，其中鉸鏈耐久性和一致移動為期望屬性。在具有mems裝置陣列的相位光調制器(plm)或空間光調制器(slm)中，陣列中的不同mems裝置的鉸鏈金屬尺寸的不均勻性可能導致不期望...

本發明涉及懸臂梁的制造方法，具體涉及用于靈敏力探測的具有超薄結構的、超低彈性系數的硅懸臂梁的制造方法。、基于激光干涉的微懸臂梁(下面簡稱“懸臂梁”)位移測量是靈敏力探測的重要方法之一，在例如對納米尺度磁性樣品的磁扭矩測量、測量卡西米爾力、磁共振力測量等方面有著重要的應用。、懸臂梁的參數直接...

本發明涉及數組，尤其涉及一種微機電數組。、現有微機電數組包含兩個環、兩個內電極、兩個外電極及一連接件。其中，連接件的兩端分別連接兩個環，兩個環分別圍繞兩個內電極，另外兩個外電極分別圍繞兩個環，并且各外電極具有穿過連接件的一避讓口。據此，現有微機電數組所有環運行在同一個相位且能通過兩個外電極...

本發明是有關一種微機電系統裝置及其制造方法，特別是一種多微機電系統裝置的制造方法。、自年代微機電系統(microelectromechanical?system，mems)裝置概念成形起，微機電系統裝置已從實驗室的探索對象進步至成為高階系統整合的對象，并已在大眾消費性裝置中有廣泛的應用，展...

本申請涉及半導體技術，具體地，涉及半導體封裝模塑料擋壩。、半導體晶片是由例如硅等半導體材料構成的圓形零件，其用于制造半導體芯片。通常，使用復雜的制造過程以在單個晶片上形成許多集成電路。在晶片上形成此類電路被稱為制造。在晶片制造之后，將晶片切割成稱為半導體裸片的多個零件，其中每個裸片含有一個...

本發明涉及刻蝕mems芯片的半導體工藝，尤其涉及一種用于刻蝕基于壓電疊層結構mems芯片的制備方法。、目前，以玻璃為基底的mems芯片在鍍膜后，需要通過光刻工藝來圖形化去承擔相應的功能，而小尺寸mems晶圓或者單顆mems芯片無法與后續工藝tft步驟兼容。、例如，申請號為?發明申請，公開的...

本發明涉及半導體，具體涉及一種mems器件及其制備方法。、在mems器件，尤其是加速度計的制造和使用中，運動部件與懸臂梁的斷裂失效是常見失效模式之一，這是由于常規的運動部件與懸臂梁等可動結構層的材料為硅，硬度較低，導致可動結構層的抗震動慣性應力的能力較差，以及器件的機械穩定性較差，從而降低...

本公開涉及光學封裝體的形成。特別地，本公開的示例涉及用于形成光學封裝體的方法。、晶片級玻璃吹制構成成本有效的方法來制造用于諸如激光束掃描器的微機電系統(mems)設備的光學晶片級封裝體。使用深反應離子蝕刻(drie)構造硅晶片以產生腔體，該腔體通常是具有幾毫米直徑和幾百微米深度的橢圓形或圓...

本申請涉及半導體，具體涉及一種mems器件及其制造方法。、在mems器件，尤其是加速度計的制造和使用中，可動部件與固定部件間產生粘連導致器件失效是常見的器件失效原因之一，這是由于常規的可動部件與固定部件均為截面為矩形的設計，受靜電效應、刻蝕毛刺等因素影響，可動部件與自身對應位置的相鄰位置的...

本申請實施例涉及電子產品，更具體地，本申請實施例涉及一種mems芯片、mems系統和電子設備。、mems（micro-electro-mechanical?systems，微機電系統）芯片廣泛應用于各類電子設備中，如智能手機、智能音箱、助聽器等。在mems芯片的結構中，背極板是核心組成部分...

本發明涉及傳感器制造，更具體地，涉及一種振膜、振動傳感器及電子設備。、現有技術的傳感器，振膜實現超疏水性能，通常采用含氟量較大的材料作為疏水層，含氟量較大的材料對環境污染較大。技術實現思路、本發明的一個目的是提供一種振膜、振動傳感器及電子設備的新技術方案，至少能夠解決現有技術中采用含氟量較...

本發明涉及一種微機械(mems)振動元件以及一種用于運行mems振動元件的方法。尤其地，本發明涉及一種慣性傳感器以及一種運行慣性傳感器的方法。、微機械(mems)振動元件在汽車和消費領域的各種應用中進行大規模生產，通常作為用于測量加速度、轉速或壓力變化的傳感器。此類傳感器的傳感器原理在很多...

本發明涉及半導體，具體而言涉及一種mems器件及其制造方法、電子裝置。、mems(micro-electro-mechanical?system，微機電系統)是指一種將機械構件、驅動部件、光學系統、電控系統集成為一個整體的微型系統。mems器件具有體積小、功耗低等優勢，在智能手機、平板電腦...

本發明涉及光刻，尤其涉及一種基于表面能修復的微納器件光刻工藝及微納器件。、在半導體或mems（微機電系統）器件的制造工藝中，等離子體清洗（尤其是氧氣等離子體）被廣泛應用于去除基底表面的有機污染物和增強基底的表面親水性；然而，等離子體中的活性粒子會使半導體、金屬等基底材料的表面產生一層疏松、...

本發明涉及一種用于產生流體脈沖的微電子機械裝置。本發明還涉及一種微電子機械揚聲器以及一種用于制造產生流體脈沖的微電子機械裝置的方法。、現有技術中已知用于產生流體脈沖的微電子機械裝置、其制造方法以及微電子機械揚聲器。微電子機械系統也簡稱為mems。、wo?/a涉及一種mems轉換器，其包括可...

本申請涉及芯片，具體地涉及一種封裝器件、電子設備及交通工具。、mems慣性器件是用于車輛智能駕駛、慣性導航、底盤控制、碰撞檢測等領域的關鍵芯片。mems慣性器件中的芯片用于實現對外界運動信息的檢測，其中，芯片具有非常高的靈敏度和精密度，對環境應力非常敏感。因此，當芯片受到外界應力作用而發生...

本發明屬于微納結構加工，具體涉及一種高縱寬比非對稱柔性微脊陣列制造方法及其應用。、微納結構加工技術是實現高精度結構和功能器件制造的關鍵工藝，廣泛應用于光學元件、微流控芯片、柔性電子、以及能源器件等領域。隨著器件向高性能、多功能和小型化發展，微納結構的幾何精度、形貌復雜度以及加工靈活性提出了...

本技術涉及一種本技術涉及集成電路，且尤其是有涉及一種微機電系統(micro-electro?mechanical?systems，mems)裝置。、微機電系統(mems)是一種在晶圓襯底上采用微型機械及機電組件(例如，裝置或結構)的技術。利用微制造技術，mems裝置所涵蓋的范圍可自無移動組...